晶圆加工方法及芯片

本发明提供一种晶圆加工方法及芯片，其中，所述晶圆加工方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有待切割区域；在所述晶圆的背面形成目标厚度的金属层，所述金属层具有开口，所述开口暴露所述待切割区域；以及，沿着所述开口切割所述晶圆；其中，所述开口通过光刻工艺形成。本发明提供的晶圆加工方法，通过在晶圆背面形成目标厚度的金属层以增加晶圆的强度，从而可以提高器件的可靠性，且金属层不会影响其导通电阻，进一步的，对于金属层部分的划片利用光刻工艺实现，如此，可以减少对金属层进行划片的设备成本，同时也可以提高加工效率。