一种真空器件的制备方法、真空器件及电子设备

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一种真空器件的制备方法、真空器件及电子设备
申请号:CN202411989773
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119898723A
公开日期:2025-04-29
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种真空器件的制备方法、真空器件及电子设备,该方法通过将载盘凹槽设置在键合凹槽的外侧,使载盘电极设置在空腔结构外,从而避免了载盘电极对空腔结构的真空效果造成影响,提高了空腔结构的真空效果。并,设置键合凹槽不仅可以在后续进行衬底键合时避免因焊料凸块向周围溢出而影响空腔结构的真空效果,还可以避免因焊料凸块的凸起而影响衬底的键合效果,从而进一步提高了空腔结构的真空效果,并提高了衬底的键合效果。此外,提前在第二衬底上形成载盘裸露凹槽,可直接对键合后形成的真空器件进行研磨处理,以露出载盘电极和对位标记,避免了对空腔结构造成破坏的可能,从而更进一步提高了空腔结构的真空效果。
技术关键词
真空器件 对位标记 载盘 衬底 焊料凸块 掩膜 空腔 吸气剂材料 多晶硅结构 电极 芯片 阻挡层 隔离结构 十字形凹槽 氮化硅 刻度线
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