一种IGBT的寿命预测方法、装置、设备及存储介质

本发明提供了一种IGBT的寿命预测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的历史电压参数构建样本集；电压参数为与寿命相关的电压参数；构建用于预测IGBT寿命的BP神经网络；将BP神经网络的初始权重和偏置参数作为种群个体，以BP神经网络的均方误差函数作为适应度函数，通过鹈鹕优化算法进行全局搜索，得到初始最优权重和偏置参数；基于初始最优权重和偏置参数以及样本集对BP神经网络训练，迭代前向传播和反向传播过程，得到训练好的BP神经网络；将待预测的IGBT的电压参数输入训练好的BP神经网络，通过训练好的BP神经网络对IGBT的寿命进行预测。该方法能够提高IGBT的寿命预测的准确性。