一种EDA中基于有限元和边界元的电磁场求解方法

本发明公开了一种EDA中基于有限元和边界元的电磁场求解方法。该方法通过结合有限元方法(FEM)和边界元方法(BEM)的优势，实现了对集成电路中电磁场分布的快速且精确的求解。该方法包括：步骤1：构建集成电路的几何模型；步骤2：区域离散化与基函数近似；步骤3：数值方法求解代数方程；步骤4：通过耦合算法整合内部和边界的电磁场求解结果；步骤5：精度修正与结果可视化。本发明方法能显著提高电磁场求解的精度和效率，缩短设计周期，适用于各种复杂的电路设计。