记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络

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记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络
申请号:CN202411452321
申请日期:2024-10-17
公开号:CN119312856B
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络,涉及模拟数字电路技术领域。本发明包括七个晶体管、电容、六个信号输入端及输出端Output,七个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管。本发明的神经电路通过集成长期记忆功能和多模态信号处理能力,能够有效处理光、压力和化学信号,使其适应多种应用场景,突破了传统方案对电信号的依赖,通过直接接收和处理多种类型的输入信号,电路实现了更高的灵活性和适应性,除此之外,该电路模拟了神经元的行为与特征,具备高效的信号处理和记忆功能,通过实现突触可塑性和长时程增强等机制进行长期记忆存储,使信息处理更加稳定和可靠。
技术关键词
记忆神经网络 输入端 模拟数字电路 电容 复位单元 记忆单元 晶体管栅极 信号处理 阵列 输入电路 信息处理 导线 电压 逻辑 输出端
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