半导体存储器件

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半导体存储器件
申请号:CN202411453924
申请日期:2024-10-17
公开号:CN119964615A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
一种半导体存储器件包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括第一单元阵列片以及与第一单元阵列片相邻的第二单元阵列片。第二芯片与第一芯片形成堆叠结构,并且包括第一子字线驱动器和第二子字线驱动器,第一子字线驱动器被配置为生成从第一单元阵列片和第二单元阵列片中的每一个的一侧向第一字线施加的第一驱动信号,第二子字线驱动器被配置为生成从第一单元阵列片和第二单元阵列片中的每一个的与该一侧相对的另一侧向第二字线施加的第二驱动信号。
技术关键词
子字线驱动器 半导体存储器件 阵列 芯片 堆叠结构 存储单元 生成驱动信号 沟道晶体管 竖直沟道 位线 强度
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