一种MEMS压力传感器芯片及制作方法

本发明涉及微机电系统技术领域，具体为一种能够在极端环境下工作的MEMS压力传感器芯片及其制造方法。所述压力传感器包括SOI绝缘体上硅衬底，压阻电阻，中间氮化硅绝缘隔离层，通孔层，有机环氧绝缘封装层，传感器膜层以及用于连接的导电材料组件。利用离子注入形成四个压阻电阻，对称地分布在薄膜层上，形成惠斯通电桥结构。所述传感器膜层为正方形，尺寸较衬底小呈工字型，减少了热应力集中效应避免裂纹或形变，两者共同形成真空腔，保持较高的结构稳定性。绝缘封装层与通孔层相连接，通孔均与绝缘层通过绝缘层开口的导电材料相连接。本发明提供的传感器在极端温度环境下可保持更搞测量精度与灵敏度。