基于二维闪存器件与CMOS的存储芯片及其制备方法

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料闪存器件与CMOS的存储芯片及其制备方法。本发明存储芯片包括由CMOS工艺制备的带有存储器外围电路的衬底以及由二维材料闪存器件构建的闪存阵列；带有存储器外围电路的衬底包括：底层衬底；衬底表面的MOS器件；金属导线之间的隔离层；本发明基于二维材料闪存器件超快非易失存储特性，进一步提高闪存器件的集成密度，包括闪存器件堆叠设计、闪存器件器件结构设计、闪存阵列电路结构设计。本发明在保持超快闪存器件基本性能的基础上，实现CMOS工艺兼容的闪存器件三维堆叠与规模集成，进而实现存储芯片存储性能和存储密度协同突破。