一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺

本发明涉及半导体技术领域，特别是一种功率半导体器件的封装结构及其封装工艺，封装结构包括：上桥FRD芯片、上桥IGBT芯片、下桥FRD芯片、下桥I GBT芯片、上桥框架、下桥框架、DBC板、底板和塑封框架，封装工艺步骤：S1：装片；S2：键合；S3：叠装；S4：烧结；S5：塑封、电镀、切筋、测试、包装，本发明封装集成度高：可在单颗器件内实现半桥功能，即在单颗器件内实现两颗I GBT芯片、两颗FRD芯片的封装；器件电性功能可变化：使用桥连接部件单颗器件可实现半桥功能；不使用桥连接部件单颗器件可实现两颗独立的器件，降低器件在线路板中占用空间；散热性能提高：通过管脚折弯方向管控，可实现器件自身散热片朝向PCB反方向，通过外接散热片以达成最佳散热效果。