一种半导体激光芯片

本发明公开了一种半导体激光芯片，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、第一上包覆层、电子阻挡层、第二上包覆层，所述下波导层为光场局域效应增强下波导层；所述光场局域效应增强下波导层为InGaN/GaN超晶格、InGaN/AlGaN超晶格、InGaN/AlInGaN超晶格、InGaN/AlInN超晶格、GaN/AlGaN超晶格、GaN/AlInGaN超晶格的任意一种或任意组合，厚度为10～1000nm。本发明降低光场的内部吸收损耗，抑制激光器的折射率色散，降低高浓度载流子浓度起伏对有效折射率的影响，增强激光器的限制因子、光场局域效应和模式增益。