一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法

本申请提供了一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法，涉及晶圆外延生长技术领域，包括：以满足预期外延属性特征和预定外延生长周期为约束，进行反向模拟，确定外延生长控制参数；划分确定多个生长区间，根据预期外延属性特征对多个生长区间进行生长指标设置，获取多个预期生长指标；根据外延生长控制参数、多个生长区间和多个预期生长指标执行外延生长控制。通过本申请可以解决现有方法中存在由于无法在晶圆外延生长过程中，根据晶圆外延层的生长状态快速、准确调整生长控制参数，导致外延生长控制的精准性和均匀性较差，影响外延层生长质量的技术问题，可以提高外延层的生长质量，确保DFB激光器芯片性能的稳定性和一致性。