一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法

本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括步骤：提供衬底，其包括光电材料层；在光电材料层上依次形成钝化层和介质层；刻蚀所述介质层形成第一通孔，暴露出所述钝化层；刻蚀所述第一通孔中的钝化层形成第二通孔，暴露出所述光电材料层；在所述衬底的光电材料层一侧形成金属层，覆盖所述介质层、第一通孔内的钝化层及第二通孔内的光电材料层；刻蚀所述金属层形成图像化的金属电极；去除所述介质层，形成所述碲镉汞红外探测器芯片。本公开提供的红外探测芯片的制备方法，可以有效避免光刻胶膜在金属表面残留以及溶液跟金属发生反应，在后面的制备过程中也降低了钝化层漏电的风险，可以大大提升金属层的导电性效果。