一种硅谐振频率高精度解析方法

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一种硅谐振频率高精度解析方法
申请号:CN202411473205
申请日期:2024-10-22
公开号:CN119004082B
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种硅谐振频率高精度解析方法,涉及硅谐振频率解析技术领域,本发明通过获取硅谐振器激励电源的理论频率信号和激励电源的实际频率信号,并进行快速傅里叶变换,获取硅谐振器的主频率差,通过建立主频率分析模型对主频率差进行提取干扰信号特征,分别获取硅谐振器的历史温度、振动、硅谐振频率数据和干扰信号特征,以及在标准环境下的理想硅谐振频率形成训练数据集,建立基于神经网络模型的谐振频率解析模型,通过训练数据集对模型进行训练,通过构建解析模型的优化模型,进一步提高解析精度,采集实时的电源的干扰特征、硅谐振器的温度值、振动值作为训练完成的模型的输入,输出高精度的硅谐振解析频率。
技术关键词
干扰信号特征 频率 sigmoid函数 谐振器 激励电源 解析方法 干扰特征 双曲正切函数 神经网络模型 理论 长短期记忆神经网络 表达式 数据 方程 样本 解析技术 开关
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