一种光转换全彩化Micro LED芯片及制作方法

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一种光转换全彩化Micro LED芯片及制作方法
申请号:CN202411479451
申请日期:2024-10-23
公开号:CN119403318B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光转换全彩化Mi cro LED芯片及制作方法,包括透明支撑衬底、透明粘附层、透明绝缘保护层、光转换层、环形光阻隔层、外延结构、透明导电层、欧姆接触电极、绝缘反射层、布线线路、绝缘层和焊线电极;本申请通过对Mi cro LED芯片的重新设计和相应的结构布局,并提供相应的制作工艺、方法,很好的解决了现有技术中,并解决了色转换中存在的光串扰问题,通过对封装的设计使颜光转换层激发光的品质得到有效提升,防止光串扰的发生,大大提升了产品的可靠性,提高了生产效率,满足了企业生产需求,提升了企业竞争力。
技术关键词
外延结构 欧姆接触电极 透明导电层 绝缘 线路 布线 环形 芯片 刻蚀深度 透明保护层 光刻 焊线 生长衬底 量子阱发光层 层厚度 负极 尺寸
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