一种Cr3+掺杂镓锗酸盐宽带近红外发光材料及其制备方法和应用

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一种Cr3+掺杂镓锗酸盐宽带近红外发光材料及其制备方法和应用
申请号:CN202411488234
申请日期:2024-10-24
公开号:CN119391421A
公开日期:2025-02-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种Cr3+掺杂镓锗酸盐宽带近红外发光材料及其制备方法和应用。本发明发光材料的化学通式为Y3ZnGa3‑3xCr3xGeO12(其中,0<x≤0.07),可以被蓝光波段或者红光波段的光源有效激发并发射覆盖远红外到近红外(600‑1200nm)范围的高亮度近红外光,相比于同类型发光材料同时拥有高发光量子效率(>95%)和优异热稳定性(>68%@150℃)。本发明发光材料的制备工艺简单、环境友好,所得产物物化性质稳定、物相纯净。此外,通过助溶剂掺杂以及Cr3+离子掺杂浓度调控等方式能实现本发明发光材料的发光强度及发射峰位(770nm‑830nm)等发光性能的有效调控。本发明发光材料与商用LED芯片进行组合制成的近红外LED发光装置的近红外光输出功率和光电转换效率都较为优异,表明其在夜视成像、生物医疗、信息防伪等领域有着广泛的应用潜力。
技术关键词
近红外发光材料 蓝光LED芯片 发光LED装置 高发光量子效率 红外LED芯片 镓锗 红光LED芯片 LED发光装置 煅烧 光电转换效率 混合物 红外光 有机硅胶 半导体芯片 离子掺杂 性质稳定 氧化镓 碳酸锌
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