碳化硅功率器件终端及制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅功率器件终端及制备方法、芯片，通过在N型外延层上形成主结区和场限环区，并在场限环区和主结区的部分区域上依次采用高温干氧、退火、低温干氧以及低温湿氧工艺形成终端氧化层。其中，由高温干氧氧化的方法生长终端氧化层的第一部分，温度保持不变在惰性气体环境下对第一部分进行退火，然后通过调节氧化温度到低温条件下采用低温干氧工艺生长终端氧化层第二组成部分，最后通过低温湿氧生长终端氧化层的第三组成部分，从而可以一方面生长较为致密的氧化层，有效降低了氧化层中的固定电荷，使终端氧化层中正电电荷数量减少，改善了器件的可靠性。