半导体光电探测器芯片及制备方法

本发明涉及光电探测器，具体提供一种半导体光电探测器芯片及制备方法，旨在解决读出电路芯片和探测器芯片对准难度高的问题。本发明提供的半导体光电探测器芯片的制备方法包括：提供探测器晶圆，包括探测器衬底、第一接触层和第二接触层；提供读出电路晶圆，具有第三电极和第四电极；形成键合层键合探测器晶圆和读出电路晶圆；在探测器晶圆上形成呈阵列设置的像元台面，同一阵列中两个相邻像元台面之间具有第一隔离槽，第一隔离槽贯穿探测器晶圆和键合层；形成电极，使第一接触层与第四电极电连接和/或第二接触层与第三电极电连接。探测器晶圆和读出电路晶圆先键合，后形成像元台面阵列，能够大大降低探测器晶圆和读出电路晶圆进行键合的难度。