一种批量检测闪存芯片电信号参数异常的测试方法及装置

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一种批量检测闪存芯片电信号参数异常的测试方法及装置
申请号:CN202411510798
申请日期:2024-10-28
公开号:CN119355489A
公开日期:2025-01-24
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种批量检测闪存芯片电信号参数异常的测试方法及装置,包括闪存芯片测试架,用于对待测闪存芯片进行上下料操作,外围电路设置与待采集电信号参数对应的引脚测试点;测试点选择开关,用于选择需要测试的电信号参数;电信号显示模块,设置为将测试点选择开关选择的电信号参数输入到对应测试通路的数显电压电流表上,进行显示并区别标记;OCR图像识别处理模块,识别并解析各通路数显图像的测试数据并进行是否异常的判断处理;异常报警输出模块,用于输出闪存芯片电信号参数测试是否异常的测试结果并报警。能够批量测量闪存芯片电信号参数,并结合芯片规格书电信号的特征参数范围,判断闪存芯片是否存在电信号参数异常。
技术关键词
电信号 数显电压电流表 测试点 OCR图像识别 闪存芯片测试架 参数 批量 测试方法 输出模块 测试座 电阻值 数值 数显表 主控芯片 闪灯
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