硅压阻式压力传感器的芯片设计方法及系统

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硅压阻式压力传感器的芯片设计方法及系统
申请号:CN202411513715
申请日期:2024-10-28
公开号:CN119509787B
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种硅压阻式压力传感器的芯片设计方法及系统,包括构建硅压阻式压力传感器的设计参数集;根据预设仿真软件得到所述设计参数集对应的性能参数集;根据所述设计参数集和所述性能参数集构建数值设计库;根据所述数值设计库建立基于Bi‑GRU神经网络双向数值设计模型。该方法或系统能够通过目标性能参数来反向实现结构参数和压阻的主动设计以及通过设计参数来正向获得压力芯片的性能参数,无需多次仿真计算就可以给出结果,大大提高了设计效率。
技术关键词
GRU神经网络 芯片设计方法 参数 数值 神经网络输出层 仿真软件 芯片设计系统 芯片结构 集成开发环境 模块 数据 压力传感器 膜片 序列 尺寸 形态 效应 线性
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