一种SiP器件的单粒子效应测试通用方法

本发明公开一种SiP器件的单粒子效应测试通用方法，根据SiP器件敏感区深度信息，对SiP器件进行开帽或减薄处理；根据SiP器件内嵌芯片的结构和型号，确定其中各内嵌芯片的敏感模块，对各个敏感模块均进行辐照试验测试分析，得到SiP器件的单粒子效应试验测试项；确定试验测试方案，并对测试软件和硬件进行针对性设计；对设计的软件和硬件注入错误方式进行仿真验证，若仿真验证未通过，则修改测试程序，重新进行仿真验证；对各内嵌芯片进行单粒子试验；对SiP器件进行辐照试验；试验完成后上传、保存、分析试验数据，结束试验。本发明解决了SiP单粒子效应地面测试不准确、测试方法和测试装置受限于特定型号的问题。