异构芯片的晶圆级封装结构及其制备方法

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异构芯片的晶圆级封装结构及其制备方法
申请号:CN202411523535
申请日期:2024-10-29
公开号:CN119451539A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种异构芯片的晶圆级封装结构及其制备方法。其中,所述制备方法将所述第一芯片倒置堆叠于所述第二芯片上,并利用金属互连层分别实现二者的电极引出。不仅降低了主板面积的占用率,提高了集成密度,还无需制备玻璃载板,降低制备成本,提高工艺效率,从而在2D封装的基础上实现2.5D封装及3D封装的工艺效果。此外,在所述第一芯片倒置的情况下,所述第一芯片中的所述空腔的开口经所述金属互连层中的所述键合区域遮盖,并经所述塑封胶层实现密闭。因此,无需在制备所述第一芯片的过程中使用昂贵的干膜来遮盖所述空腔的开口,进一步降低了制备成本,提高了工艺效率。
技术关键词
金属布线层 封装结构 金属焊垫 芯片 金属互连层 异构 介质 导电柱 衬底 空腔 支撑材料 接触面 载板 主板 玻璃 电极 密度
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