MOS场效应管栅极驱动方法、装置、设备及存储介质

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MOS场效应管栅极驱动方法、装置、设备及存储介质
申请号:CN202411527361
申请日期:2024-10-30
公开号:CN119051642B
公开日期:2025-02-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及MOS场效应管技术领域,公开了一种MOS场效应管栅极驱动方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:对MOS场效应管的原始驱动信号进行采样,得到第一驱动信号;建立动态特性数据表;计算非线性理想栅极电压变化曲线并得到第二驱动信号;进行放大,通过动态阻抗匹配网络与MOS场效应管栅极相连,得到功率匹配信号;将电流检测结果输入数字信号处理器,得到自适应驱动信号;分析漏源电压的变化率并估算结温,当检测到异常时调整自适应驱动信号的斜率和幅值,同时更新动态特性数据表,得到目标驱动信号,本发明实现了驱动信号的动态调整,提高了驱动信号的功率传输效率和匹配度。
技术关键词
MOS场效应管 驱动信号 数字信号处理器 栅极驱动方法 非线性数学模型 沟道长度调制效应 阻抗匹配网络 波形 电压 电流 动态响应模型 栅极驱动装置 结温 数据 参数
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