一种用于降低并联芯片电流不均的IGBT模块芯片布局结构

本发明属于IGBT芯片技术领域，具体涉及一种用于降低并联芯片电流不均的IGBT模块芯片布局结构。本发明的IGBT模块芯片布局结构，通过将驱动信号端子放置在DBC基板中间位置，与每个IGBT芯片栅极距离相同，且与芯片栅极直接连接；辅助发射极端子采用分立式结构，分布于与IGBT芯片距离相同的位置处，使得并联芯片间控制回路路径趋于一致，且并联芯片开关过程产生的杂散电感趋于一致，减小并联芯片间开关的不同步性和电流的不均衡性，降低了IGBT芯片间电流差异率，使芯片均流性能得到提升，有利于芯片的长期稳定运行。