一种陶瓷电子元件及其制备方法和应用

本发明属于电子产品领域，具体公开了一种陶瓷电子元件及其制备方法和应用，所述陶瓷电子元件包括介电材料层，介电材料层的制备原料包括钛酸钡和Ba(Ti1‑xSnx)O3，0.05≤x≤0.12；介电材料层包括第一区域和第二区域；第二区域分布于第一区域中；第一区域中Sn的物质的量大于第二区域中Sn的物质的量；第一区域中Sn的物质的量为Sn和Ti总物质的量的4～12％；第一区域的面积为介电材料层总面积的10～35％；第二区域的面积为介电材料层总面积的65～90％。本发明中的陶瓷电子元件具有较高的介电常数、较优的高低温稳定性、较长的使用寿命。