基于高光谱成像技术的绝缘子表面污秽状态分析系统及方法

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基于高光谱成像技术的绝缘子表面污秽状态分析系统及方法
申请号:CN202411533466
申请日期:2024-10-31
公开号:CN119046888B
公开日期:2025-01-10
类型:发明专利
摘要
基于高光谱成像技术的绝缘子表面污秽状态分析系统及方法,属于绝缘子检测技术领域,本发明通过多维度数据采集,实现了对影响绝缘子污秽状态因素的全面考量,在权重计算方面,针对温湿度数据,采用先进的模糊聚类分析和支持向量回归模型,精准地量化了其对污秽程度的影响,能适应复杂的环境变化,对于地理位置权重,综合考虑了与污染源的距离、地形地貌及水流等因素,使评估结果更符合实际情况,绝缘子材质权重的计算运用层次结构和模糊判断矩阵,科学地衡量了不同材质的关键性能对污秽状态的影响,能准确评估绝缘子的污秽程度,为清洗或更换决策提供可靠依据,有效保障电力系统的安全稳定运行。
技术关键词
绝缘子表面污秽 高光谱成像技术 状态分析系统 支持向量回归模型 模糊聚类分析 温湿度 绝缘子污秽程度 模糊C均值聚类算法 绝缘子污秽状态 地理位置信息 绝缘子检测技术 光谱成像设备 数据采集模块 模糊聚类算法 保障电力系统
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