基于晶段位置区分氧施主效应造成的PN反型方法

本发明涉及一种基于晶段位置区分氧施主效应造成的PN反型方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：统计前确认晶段通过高温退火后消除氧施主效应，是P型产品，且过程中无混料发生。第二步：统计单晶位置0～2200mm之间的316个晶段棒，出现N型：13个；P型：303个；从发生位置判断1400mm以后没有出现N型现象。第三步：对晶段位置进行编码规则，区分辨别无严重氧施主效应的硅片，即不会出现PN反型的硅片。第四步：根据晶段位置的编码进行制程监控，在使用时从块的信息上看出对应块在单晶中的位置。具有快速确认对应硅片是否有严重的氧施主效应的方法，并挑选出无严重的氧施主效应的硅片使用，对芯片制造企业的电性监控制程使用带来了便利。