摘要
本发明公开一种SSOP21全集成智能功率模块,包括金属铜框架、电机控制IC芯片、驱动IC芯片、功率芯片和塑封体,所述电机控制IC芯片、驱动IC芯片和功率芯片均布置在所述金属铜框架上,所述塑封体封装所述金属铜框架、电机控制IC芯片、驱动IC芯片和功率芯片,所述功率芯片括3颗NMOS管和3颗PMOS管,分别为第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管,本发明低压全集成智能功率模块相比于低压one chip方案有着明显的优势,具体优势为:芯片生产制造工艺难度降低,工艺成熟度高,成本低,功率密度大,具有可靠性高、成本低、功率密度高,电路结构紧凑,模块体积小等特点。
技术关键词
驱动IC芯片
NMOS管
PMOS管
智能功率模块
功率芯片
铜框架
管脚
电机
栅极
低压
绝缘
电路
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