一种LED外延片及其制备方法、LED芯片

本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，属于半导体器件领域，其中LED外延片包括N型半导体层、应力释放层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层和接触扩展层，所述接触扩展层为周期性交叠结构，包括依次层叠设置的N型GaN层、第一非掺杂GaN层和P型GaN层，所述N型GaN层为Si掺杂的N型掺杂层，所述P型GaN层为Mg掺杂的P型掺杂层，所述N型GaN层中Si的掺杂浓度为1×1017cm‑3‑1×1018cm‑3，所述P型GaN层中Mg的掺杂浓度为1×1020cm‑3‑1×1021cm‑3，单个周期内，所述N型GaN层、所述N型GaN层的厚度和所述N型GaN层的厚度均为0.5nm‑2nm。本发明中的LED外延片解决了现有技术中的LED外延片光效不佳的问题。