封装横向半导体器件及其制造方法

本发明涉及一种封装横向半导体器件及其制造方法，其中，封装横向半导体器件包括一个电阻器，该电阻器连接于器件衬底与封装接地端之间。相较于传统封装结构，该封装器件减轻了浮置衬底带来的不利影响，减少了衬底漏电流并提高了击穿电压。此外，通过选择适当的电阻值，可控制器件衬底的漏电流与击穿电压。所述器件包括高电压横向器件，如GaN或GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)，该封装方式可实现高击穿电压并具有良好的动态性能。