一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用

本发明公开了一种非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器及制备方法和应用，属于非易失性存储器及神经网络计算技术领域。方法包括：先在绝缘衬底上沉积第一导电薄膜，作为模拟型阻变忆阻器的底电极；再采用物理气相沉积方法，生长氧缺陷含量梯度变化的非晶氧化钨薄膜，作为模拟型阻变忆阻器的阻变介质存储层；最后，沉积第二导电薄膜，作为上电极，获得非晶氧化钨薄膜模拟型阻变忆阻器。工艺简单、成本低、可控性强，易于规模化生产，具有较高的稳定性，通过调控电压，使阻变介质存储层内梯度分布的氧空位形成或断裂导电通道，实现阻变性能的模拟渐变性，可靠性高。在神经网络计算领域有广阔的市场应用前景。