基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法

本发明涉及微纳光电子芯片技术领域，尤其涉及一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法。本发明的波导包括：铌酸锂、包层、衬底和金属层；包层设于衬底上，且铌酸锂的一端暴露于包层的第一侧暴露，铌酸锂的另一端嵌入包层的内部，金属层设于包层的顶部。衬底为输入端口，波导与铌酸锂暴露的一端耦合，包层的顶部为输出端口。本发明提供的一种基于耦合消光的薄膜铌酸锂波导及其制备方法，针对耦合条件进行了设计，由于TE和TM的模场主要集中在侧壁和顶部，这使得TM模式在耦合至左侧波导后被金属强烈吸收，而TE模式耦合后由于存在氧化硅的包层间隔吸收较弱，能够提高片上偏振器件的偏振消光比、降低器件整体损耗。