基于强化学习增强均衡优化器的半导体器件参数提取方法

本发明涉及半导体器件参数提取技术领域，特别是涉及基于强化学习增强均衡优化器的半导体器件参数提取方法，包括：构建半导体器件模型，并基于所述半导体器件模型确定输入、输出和优化目标；基于所述输入、输出和优化目标启动参数提取算法，获取半导体器件的最优参数，其中，所述参数提取算法通过强化学习结合均衡优化器构建。本发明通过自适应调整优化算法的迭代参数，能够提高MOSFET参数提取的效率和精度。