基于主动学习图像识别的氧化镓单晶生长方法、自动氧化镓单晶生长方法、装置、设备、介质及产品

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基于主动学习图像识别的氧化镓单晶生长方法、自动氧化镓单晶生长方法、装置、设备、介质及产品
申请号:CN202411569937
申请日期:2024-11-06
公开号:CN119507028A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种基于主动学习图像识别的氧化镓单晶生长方法、自动氧化镓单晶生长方法、装置、设备、介质及产品,涉及单晶生长技术领域。该方法包括在当前生长过程中实时获取晶体图像;将所述晶体图像输入至第t次训练后的晶体图像识别模型进行晶体的生长状态的一次识别;当晶体的生长状态为异常时,输出报警信号,并进行晶体的生长状态的二次识别;当晶体的生长状态为异常时,则调整晶体生长参数;否则不进行晶体生长参数的调整,直到晶体生长完成,对当前生长过程中的晶体图像进行标记,构建当前生长过程的数据集,对第t次训练后的晶体图像识别模型进行二次训练。本申请实现了自动氧化镓单晶生长,减少人工消耗,提高生产效率。
技术关键词
氧化镓单晶 图像识别模型 晶体 生长装置 图像获取模块 泊松模型 单晶生长技术 识别模块 参数 神经网络框架 训练集 处理器 数据 计算机程序产品 标记 计算机设备 可读存储介质 存储器
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