半导体存储器装置

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半导体存储器装置
申请号:CN202411579552
申请日期:2024-11-07
公开号:CN120071980A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
公开了一种半导体存储器装置,并且所述半导体存储器装置包括:第一芯片,包括:单元区域,包括存储器单元;和虚设区域,包括虚设单元晶体管;以及第二芯片,包括被配置为控制存储器单元的操作的核心电路和外围电路,第一芯片和第二芯片沿着竖直方向叠置。第一芯片的虚设区域可以包括至少一个可变电阻器,所述至少一个可变电阻器包括虚设单元晶体管。
技术关键词
半导体存储器装置 可变电阻器 低压差稳压器 垂直沟道晶体管 控制存储器单元 芯片 电阻值 电路 栅极 电压 分压器 位线感测放大器 子字线驱动器 核心 端子 比率
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