一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器

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一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器
申请号:CN202411581699
申请日期:2024-11-07
公开号:CN119270533A
公开日期:2025-01-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器,属于硅基光电子集成芯片领域。该调制器包括硅光波导衬底、石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构、偏压端和接地端;所述硅光波导衬底上设置石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构;所述石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构由上、下两层石墨烯和上、下两层石墨烯中间的高k栅介质组成;所述上、下两层石墨烯两端分别设置偏压端和接地端。本发明的调制器利用无机分子晶体氧化锑/氧化铝作为复合高k栅介质,可以有效保持石墨烯的硅基室温载流子迁移率、剩余载流子浓度等材料电学品质,从而减小器件的电阻‑电容参数,为提升石墨烯/硅光强度调制器的高频模拟带宽提供了新的解决方案。
技术关键词
强度调制器 石墨烯电容器 高k栅介质 硅基光电子集成芯片 接地端 二氧化硅介质层 氧化锑 CVD石墨烯 强度调制信号 原子层沉积法 衬底 载流子迁移率 氧化铝 高带宽 单层石墨烯 波导结构
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