一种死区时间电路和GaN驱动芯片

本申请实施例提供一种死区时间电路和GaN驱动芯片，涉及功率管驱动电路技术领域。在一个功率管的驱动源信号由表示关断转变为表示导通时，电流产生模块对电容模块充电，充电达到阈值触发模块时方可使阈值触发模块的输出信号翻转，阈值触发模块的输出信号连接至功率管的栅极，充电至阈值的时间为死区时间。高侧功率管和低侧功率管的驱动信号翻转时，利用负载模块中的电感储能的作用，使电流产生模块产生电流。当负载模块中的电感变化时，电流产生模块产生的电流变化，进而改变了充电时间和死区时间，即死区时间可以随负载模块的电感变化而变化。