具有深能级受主杂质p基区的功率半导体器件及制造方法

一种具有深能级受主杂质p基区的功率半导体芯片及制造方法，属于功率半导体制备领域。所述功率半导体器件芯片，在p基区中采用深能级受主杂质形成一整元胞覆盖的p+基区，或者在传统p+基区掺杂的基础上附加额外的采用深能级受主杂质形成一整元胞覆盖的p++基区；其中，所述深能级受主杂质在硅中的能级位置距离价带顶EV在0.1eV以上。相比传统功率半导体器件结构，本发明可以有效提升IGCT器件的电流关断能力，导通压降相比传统结构明显降低；可以改善IGCT的p+基区掺杂浓度对于器件电流关断能力和导通压降的矛盾。