一种基于WOA-BP的SiC MOSFET寿命预测方法

本发明公开了一种基于WOA‑BP的SiC MOSFET寿命预测方法、设备及存储介质，涉及电力电子设备的可靠性预测技术领域。所述方法包括：选取漏源极电压作为SiC MOSFET的老化特征参数，并用传感器在老化试验过程中实时获取电压数据；对采集到的电压数据进行预处理，消除异常值，补充缺失值，平滑数据；通过鲸鱼优化算法WOA对反向传播神经网络BP的参数进行优化，构建WOA‑BP预测模型；初始化WOA‑BP模型并输入电压数据进行训练，建立SiC MOSFET寿命与电压之间的映射关系，实现对SiC MOSFET剩余寿命的预测。本发明的SiC MOSFET寿命预测模型具有适应性强、低计算复杂度、预测精度高等优点，能够广泛应用于半导体行业、新能源汽车、工业自动化等领域，为设备的健康管理和维护提供有力支持。