基于PID控制的直拉单晶生长方法以及单晶炉

本发明提供一种基于PID控制的直拉单晶生长方法以及单晶炉。所述方法包括：选放肩形状的决定性参数中的任意一个作为PID控制自变量，并将放肩直径增长率作为PID控制应变量；将各节点的自变量值和对应的应变量值输入控制系统，作为控制过程中的设定值；建立直径增长率的测量算法，用以计算控制过程中的实际值；在放肩过程，由PID控制系统根据已建立的算法计算放肩过程的直径增长率实际值，并与相应节点的设定值对比，根据两者差值调节提拉工艺，实现直径增长率调控。本发明采用直径增长率代替直径作为PID调控的参数，与直径变化范围相比，直径增长率的变化幅度很小，便于PID进行稳定控制。另外，采用直径增长率作为调控参数，能够精确控制放肩过程中各位置的直径及直径变化趋势，兼顾了对放肩形状的精确控制。