摘要
本发明提供一种三维封装芯片及其制造方法,所述三维封装芯片包括:第一芯片及第二芯片,第二芯片与第一芯片键合;至少一个凹部,设置在第一芯片靠近第二芯片的表面;至少一个凹部,设置在第二芯片靠近第一芯片的表面,且凸部与凹部对位嵌套;第一金属层,铺设在第一芯片靠近第二芯片的表面,且第一金属层覆盖凹部;第二金属层,铺设在第二芯片靠近第一芯片的表面,且第二金属层覆盖凸部;以及绝缘层,设置在第一金属层和第二金属层之间,且第一金属层、绝缘层和第二金属层形成电容器件。通过本发明提供的一种三维封装芯片及其制造方法,可解决电路板上的电容无法满足片上系统对于电容的容量和位置需求的问题。
技术关键词
三维封装芯片
硅通孔结构
电容器
六边形
片上系统
电源芯片
嵌套
蚀刻
矩形
电路板
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