摘要
本发明属于无源射频滤波器技术领域,公开了一种高Q值小型化IPD带通滤波器芯片及装置。该滤波器芯片包括电路层、环绕电路层的接地端和基板,电路层、环绕电路层的接地端设置在基板上,电路层包括电容电感谐振器网络和均采用地‑信号‑地结构的输入端口、输出端口。本发明通过多零点的引入,可以提高带通滤波器的阻带抑制;电容采用MIM平板电容,通过薄膜沉积技术加工,可实现高集成度和小型化,从而有效减小滤波器的尺寸;电感元件和线路通过在衬底上沉积厚金属材质形成,增大电感的厚度和宽度,解决了传统平面IPD电感Q值较低的实际问题,提高滤波器的滤波功能,并减少了电路损耗。
技术关键词
IPD带通滤波器
谐振器
电容
谐振结构
轴对称结构
薄膜沉积技术
高Q值
滤波器芯片
接地端
电感值
端口
电路
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基板
金属框
滤波器技术
无源射频
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