一种高Q值小型化IPD带通滤波器芯片及装置

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一种高Q值小型化IPD带通滤波器芯片及装置
申请号:CN202411600923
申请日期:2024-11-11
公开号:CN119519642A
公开日期:2025-02-25
类型:发明专利
摘要
本发明属于无源射频滤波器技术领域,公开了一种高Q值小型化IPD带通滤波器芯片及装置。该滤波器芯片包括电路层、环绕电路层的接地端和基板,电路层、环绕电路层的接地端设置在基板上,电路层包括电容电感谐振器网络和均采用地‑信号‑地结构的输入端口、输出端口。本发明通过多零点的引入,可以提高带通滤波器的阻带抑制;电容采用MIM平板电容,通过薄膜沉积技术加工,可实现高集成度和小型化,从而有效减小滤波器的尺寸;电感元件和线路通过在衬底上沉积厚金属材质形成,增大电感的厚度和宽度,解决了传统平面IPD电感Q值较低的实际问题,提高滤波器的滤波功能,并减少了电路损耗。
技术关键词
IPD带通滤波器 谐振器 电容 谐振结构 轴对称结构 薄膜沉积技术 高Q值 滤波器芯片 接地端 电感值 端口 电路 网络 基板 金属框 滤波器技术 无源射频
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