一种基于TCAD提取半导体器件SPICE模型的仿真方法

本发明公开了一种基于TCAD提取半导体器件SPICE模型的仿真方法，属于集半导体器件技术领域。将TCAD仿真与SPICE模型提取相结合，首先通过TCAD仿真模拟软件建立半导体器件模型，提取关键参数曲线；然后采用最小二乘法拟合关键参数曲线，优化曲线后生成SPICE模型卡；最后在电路级别仿真工具使用该SPICE模型卡作为库文件进行电路仿真，验证其在复杂电路中的应用。本发明方法通过提取器件的高精度物理模型参数来反映复杂的物理效应，实现了器件仿真和电路仿真的融合，具有高精度、灵活性和成本低等特性，可用于不同工艺节点的评估和对新型器件的探索，降低研发成本、缩短开发周期，为创新设计提供有效支持。