2D NC-FET器件电容特性仿真模型及其建立方法与应用

本发明公开一种2D NC‑FET器件电容特性仿真模型，包括本征2D FET等效电容网络以及非线性铁电电容器CFE，所述本征2D FET等效电容网络包括三个端口，所述三个端口分别为源极、漏极以及内部栅极，所述非线性铁电电容器CFE的负极连接内部栅极，非线性铁电电容器CFE的正极为2D NC‑FET器件的栅极。本发明还公开了所述2D NC‑FET器件电容特性仿真模型的建立方法。本发明包括完全显式的2D NC‑FET器件端口总电荷和传输电容数学表达式，同时提高了模型的仿真速度、精度和适用范围，填补了目前尚无二维半导体负电容场效应晶体管的电容特性仿真模型的空白。