一种3D耦合表面增强拉曼散射的阵列芯片及制备方法和应用

本发明公开了一种3D耦合表面增强拉曼散射的阵列芯片的制备方法，包括如下步骤：(1)将SiO2微球溶液分散在基底上，自组装形成单层分布的点阵基底；(2)在点阵基底上镀一层金属薄膜，超声清洗，得到表面具有微孔洞的芯片基底；(3)用硅烷化试剂处理芯片基底，制得微孔洞表面带电荷的芯片基底；(4)将金纳米颗粒滴在步骤(3)处理的芯片基底表面，键合，并用碱液除掉金属薄膜，获得金纳米颗粒集聚点阵阵列芯片基底；(5)将步骤(4)处理的芯片基底浸入含有HAuCl4、诱导剂和还原剂的溶液中，进行金纳米线状结构的原位生长反应，获得所述阵列芯片。本发明芯片可实现在生物医学、环境检测和食品安全等领域的应用价值。