一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用

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一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用
申请号:CN202411620242
申请日期:2024-11-14
公开号:CN119144964B
公开日期:2025-04-08
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用,半导体芯片CMP后清洗液包括重量配比如下的各组分:添加剂1‑10份;缓蚀剂1‑7份;有机碱1‑10份;超纯水80‑90份;所述添加剂优选为N‑(9‑((1R,3R,4R,7S)‑1‑((双(4‑甲氧基苯基)(苯基)甲氧基)甲基)‑7‑羟基‑2,5‑二氧杂双环[2.2.1]庚烷‑3‑基)‑9H‑嘌呤‑6‑基)苯甲酰胺。本发明半导体芯片CMP后清洗液安全、环保、高效,对半导体芯片无腐蚀,其可在无需超声波工艺配合的纯浸泡工艺条件下完成清洗,在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
技术关键词
清洗液 清洗半导体芯片 超纯水 半导体芯片清洗 缓蚀剂 添加剂 ‑9H‑嘌呤 甲氧基苯甲酰胺 超声波工艺 庚烷 苯磺酸 甲基 无腐蚀 吡啶 去离子水
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