一种CMP后清洗剂及制备方法与应用

本发明涉及一种CMP后清洗剂，按照重量份计算，包括如下组分：功能剂1‑10份；络合剂1‑10份；有机胺1‑5份；超纯水70‑90份。本发明还公开上述清洗剂的制备方法与用途。本发明采用功能剂、络合剂、有机胺的组合，络合剂中的‑OH可以与功能剂中疏水长链中的‑O‑形成分子间氢键，以及络合剂与有机胺两者之间苯环间的π‑π共轭产生的协同作用会形成致密的氧化膜，实现抑制Co的腐蚀。同时，络合剂和功能剂中的羧基均可与苯环形成p‑π共轭结构在络合钴离子的同时在芯片表面产生致密的氧化膜进一步抑制腐蚀。