摘要
本发明公开一种化学气相沉积的模拟仿真方法、装置、设备及介质,涉及集成电路先进制造工艺仿真领域,所述化学气相沉积的模拟仿真方法,包括:导入化学气相沉积仿真模型,所述化学气相沉积仿真模型,包括:沉积粒子和衬底,所述沉积粒子用于沉积在所述衬底的沉积区域;按照预设的仿真参数,运行所述化学气相沉积仿真模型,并获得所述衬底的实时温度;在所述衬底的实时温度稳定在预设的温度阈值的情况下,基于接收拒绝采样法生成按照余弦分布的所述沉积粒子的速度矢量;将所述沉积粒子的速度矢量以及在所述沉积区域随机生成的所述沉积粒子的坐标输入所述化学气相沉积模型,并继续运行所述化学气相沉积仿真模型。
技术关键词
仿真模型
模拟仿真方法
粒子
气相
衬底
温度稳定
计算机存储介质
模拟仿真装置
坐标系
速度
工艺仿真
处理器
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