一种8T-SRAM单元及该8T-SRAM单元的读出电路、运算电路及芯片

本发明公开了一种8T‑SRAM单元及该8T‑SRAM单元的读出电路、运算电路及芯片，包括晶体管P1、P2、N1、N2、N3、N4、N5、N6，P1、P2、N1、N2构成交叉耦合的两个反相器，两个反相器的输入分别作为存储节点Q和存储节点QB，所述第五晶体管N3的源极连接存储节点Q，漏极连接第六晶体管N4的漏极，栅极连接第一列字线WWLA，所述第六晶体管N4的栅极连接第二列字线WWLB，源极连接存储节点QB，所述第七晶体管N5的栅极连接存储节点QB，漏极连接第六晶体管N4的漏极，源极接地，所述第八晶体管N6的栅极连接行字线WL，源极连接第六晶体管N4的漏极，漏极连接位线RBL。本发明8T‑SRAM单元可以消除半选择破坏，本发明的读出电路可以让输出更稳定。