一种电场敏感芯片的加工方法及分离方法

本发明公开了一种电场敏感芯片的加工方法及分离方法。加工方法包括清洗晶圆表面、在晶圆背面和正面分别涂胶、光刻、沉积金属并剥离金属；在晶圆正面刻蚀出敏感结构图形，涂覆保护材料，并通过深反应离子刻蚀去除硅衬底层暴露二氧化硅，最终释放敏感结构。分离方法包括在两个芯片之间刻蚀出连接点并破坏连接点，以实现芯片的物理分离。该发明通过优化加工步骤和分离技术，确保电场敏感芯片具有高精度、高灵敏度和高稳定性，解决了传统方法中精度不足和分离时芯片容易损伤的问题。该方法具有工艺简便、生产效率高、成本低等优点，适用于大规模电场传感器和微电子器件的制造。