一种基于级联莫尔效应的光刻对准方法

本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种基于级联莫尔效应的光刻对准方法，包括步骤：将硅片和掩模重叠放置，在掩模后放置一块调制光栅对对准信号进行级联调制；通过光源进行准直照明，利用图像采集单元对级联调制后的莫尔条纹进行图像采集；采集的图像输入相位解析模型，计算出每组莫尔条纹的对准偏移信息；通过解调算法模型对对准偏移信息进行处理，计算获得最终的对准偏移量；利用对准偏移量完成掩膜和硅片的对准。本发明所提供的光刻对准方法，运用级联莫尔效应来提升光刻莫尔对准技术的精度和灵敏度，能够实现在亚纳米级光刻对准。